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AON7246E
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和±20V的栅源电压范围，持续漏极电流可达40A，导通电阻低至12mΩ，具备优异的导通性能和较低的开关损耗。其高电流承载能力与低RDS(on)特性使其适用于高效率功率转换电路，如同步整流、DC-DC变换器及电机驱动模块。器件热稳定性良好，适合在紧凑型电源设计中使用，广泛应用于通信设备、便携式电子装置及高密度电源管理系统中的主开关与功率控制环节。
- 商品型号
- AON7246E
- 商品编号
- C50177032
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05906克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |