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WNM2030-3-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有20V的漏源电压（VDSS）和12V的栅源电压（VGS），连续漏极电流为1.2A，导通电阻典型值为150mΩ。低导通电阻有助于减少导通损耗，提高能效。器件适用于中低电压开关应用，如电源管理模块、便携式设备的负载开关、DC-DC转换电路以及各类电池供电的电子设备中的信号切换与功率控制，适合对空间和效率有要求的高密度电路设计。
- 商品型号
- WNM2030-3-HXY
- 商品编号
- C50177035
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010327克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
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