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AO4813
双P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管采用P+P沟道结构，具备30V的漏源耐压（VDSS）和±20V的栅源电压范围，持续漏极电流可达11A，导通电阻为14mΩ。其较高的电流承载能力与低RDS(on)特性有助于降低功率损耗，适用于电源开关、负载切换及逆变电路中的高边驱动应用。器件可在较宽电压范围内稳定工作，适合用于便携式设备、电池供电系统及各类电子装置中的直流功率控制与管理电路。
- 商品型号
- AO4813
- 商品编号
- C50177031
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.120101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V；14mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 158pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 194pF |