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AO4438
N沟道增强模式MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有60V的漏源电压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS），持续漏极电流可达8A，导通电阻低至15.5mΩ，适用于高效功率开关场景。器件具备较低的导通损耗和良好的热稳定性，适合用于直流电机驱动、电源转换模块及高密度电源管理系统中。其封装形式利于散热，可满足多类型电路对小型化与高效率的需求，广泛适用于各类电子设备中的功率控制应用。
- 商品型号
- AO4438
- 商品编号
- C50177029
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11809克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V；18mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.64W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.89nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 141pF |