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AO4480
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有40V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压范围，持续漏极电流为9A，导通电阻低至12mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。器件适用于中等电压功率开关应用，如同步整流、直流电源转换及电机驱动电路。其低RDS(on)和良好热性能使其在高密度电源设计中表现出色，适合用于消费类电子、便携式设备及通信模块中的功率控制与开关调节功能。
- 商品型号
- AO4480
- 商品编号
- C50177030
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121608克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V；19mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.9nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 964pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 109pF |