温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4437
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至12mΩ，有助于减少导通损耗，提高电源效率。栅源电压（VGS）最大为12V，适用于低压控制电路中的开关与功率调节。P沟道结构使其在高端开关应用中具有驱动便利性，常用于电池供电设备、便携式电子产品及电源管理系统中的负载开关、逆变电路和DC-DC转换模块，满足对低导通电阻和高能效的电路设计需求。
- 商品型号
- AO4437
- 商品编号
- C50177028
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AO4437采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V,ID = -20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 19mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源