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AO4437
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 该P沟道场效应管（MOSFET）具有20A的连续漏极电流（ID）和20V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）低至12mΩ，有助于减少导通损耗，提高电源效率。栅源电压（VGS）最大为12V，适用于低压控制电路中的开关与功率调节。P沟道结构使其在高端开关应用中具有驱动便利性，常用于电池供电设备、便携式电子产品及电源管理系统中的负载开关、逆变电路和DC-DC转换模块，满足对低导通电阻和高能效的电路设计需求。
- 商品型号
- AO4437
- 商品编号
- C50177028
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.121106克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |