DMT10H025LK3-13-HXY

N-SGT增强型MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备100V的漏源耐压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至20mΩ，可显著降低导通损耗，提升系统效率。器件适用于中高功率电源转换应用，如高效能电源供应器、储能系统、电机驱动电路及智能家电中的功率控制模块。其良好的热稳定性和优异的开关特性，使其在高频工作环境下仍能保持可靠运行，满足对功率密度与能效有较高要求的设计场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMT10H025LK3-13-HXY
商品编号: C49420400
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.365657克(g)

商品参数