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STGB10M65DF2
650V 20A
- 描述
- 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、10 A，低损耗
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB10M65DF2
- 商品编号
- C472577
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 40A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@10A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 840pF | |
| 输出电容(Coes) | 63pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 16pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 91ns | |
| 导通损耗(Eon) | 120uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 270uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 96ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于M系列IGBT。在低损耗和短路功能至关重要的场合，该系列实现了逆变器系统性能和效率之间的平衡。此外，正向V_CE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 短路耐受时间为6µs
- V_CE(sat)=1.55V（典型值）@Ic=10A
- 参数分布紧密
- 并联操作更安全
- 正向V_CE(sat)温度系数
- 低热阻
- 反并联二极管具有软恢复特性且恢复速度极快
- 最大结温：175℃
应用领域
- 电机控制
- UPS
- PFC
- 通用逆变器