温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGWT20IH125DF
STGWT20IH125DF
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 1250 V、20 A IH系列沟槽栅场截止IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGWT20IH125DF
- 商品编号
- C472635
- 商品封装
- TO-3P-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.923克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 259W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.25kV | |
| 集电极电流(Ic) | 20A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.29nF | |
| 输出电容(Coes) | 96pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30.6pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | - | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 106ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 410uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |