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STGP30M65DF2
采用TO-220封装的低损耗沟槽栅场截止型IGBT，适用于逆变器系统
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- 描述
- 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、30 A，低损耗
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGP30M65DF2
- 商品编号
- C472637
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 258W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 120A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.49nF | |
| 输出电容(Coes) | 143pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 46pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31.6ns；30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 116ns；115ns | |
| 导通损耗(Eon) | 300uJ；670uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.36mJ；960uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns；244ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT。它属于M系列IGBT，在性能上达到了优化平衡，可最大限度提高逆变器系统的效率，其中低损耗和短路能力至关重要。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 最小短路耐受时间为6µs
- VCE(sat)=1.55V（典型值）@ IC=30A
- 参数分布紧密
- 并联操作更安全
- 低热阻
- 软且快速恢复的反并联二极管
应用领域
- 电机控制
- UPS
- PFC