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STGWA75M65DF2

环保标识
  • 耐压:650V 电流:120A

  • SMT扩展库
  • 描述

    沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗

  • 品牌名称ST(意法半导体)
  • 商品型号

    STGWA75M65DF2
  • 商品编号

    C472652
  • 商品封装

    TO-247-3
  • 包装方式

    管装

  • 商品毛重

    9.58克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)120A
功率(Pd)468W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2.1V@15V,75A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge)225nC
属性参数值
输入电容(Cies@Vce)-
开启延迟时间(Td(on))47ns
关断延迟时间(Td(off))125ns
导通损耗(Eon)0.69mJ
关断损耗(Eoff)2.54mJ
反向恢复时间(Trr)165ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

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