STGWA75M65DF2
耐压:650V 电流:120A
- SMT扩展库
描述
沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、75 A,低损耗
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGWA75M65DF2商品编号
C472652商品封装
TO-247-3包装方式
管装
商品毛重
9.58克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | FS(场截止) | |
集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
集电极电流(Ic) | 120A | |
功率(Pd) | 468W | |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2.1V@15V,75A | |
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 225nC |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
输入电容(Cies@Vce) | - | |
开启延迟时间(Td(on)) | 47ns | |
关断延迟时间(Td(off)) | 125ns | |
导通损耗(Eon) | 0.69mJ | |
关断损耗(Eoff) | 2.54mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 165ns | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
30+¥26.477428¥794.32
优惠活动
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订货10-15个工作日购买数量(30个/管,最小起订量 1860 个 )
个
起订量:1860 个30个/管
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