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SCTWA30N120
1200V、45A碳化硅功率MOSFET
- 描述
- 碳化硅功率MOSFET，1200 V、45 A、90 mOhm（典型值，TJ = 150 C），HiP247长引线封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTWA30N120
- 商品编号
- C472656
- 商品封装
- HiP-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET利用宽带隙材料的先进创新特性制造。其单位面积导通电阻表现优异，开关性能良好且几乎不受温度影响。碳化硅材料的热性能使设计人员能够使用行业标准外形，同时显著提升热能力。这些特性使该器件非常适合高效和高功率密度应用。该器件规格为1200 V、45 A、90 mΩ（典型值，T=150℃），采用HiP247长引线封装。
商品特性
- 导通电阻随温度变化的波动非常小
- 具有极高的工作结温能力（T_J=200℃）
- 内置快速且坚固的本征体二极管
- 电容低
应用领域
- 太阳能逆变器、不间断电源（UPS）
- 电机驱动
- 高压DC-DC转换器
- 开关模式电源