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PD57060-E

N沟道耐压:65V 电流:7A

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描述: 60W 28V HF - 1GHz LDMOS晶体管，PSO-10RF塑料封装
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: PD57060-E
商品编号: C472657
商品封装: PowerSO-10RF
包装方式: 管装
商品毛重: 1.7克(g)

商品参数

商品概述

该器件是一款共源极 N 沟道增强型横向场效应射频功率 MOSFET。它专为高增益、宽带的商业和工业应用而设计。该器件在共源极模式下以 28 V 电压工作，频率最高可达 1 GHz。该器件采用首个真正的表面贴装塑料射频功率封装 PowerSO - 10RF，具备意法半导体（ST）最新 LDMOS 技术的出色增益、线性度和可靠性。器件卓越的线性度性能使其成为基站应用的理想解决方案。PowerSO - 10 塑料封装旨在提供高可靠性，是首个获得 JEDEC 认证的意法半导体高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了特殊优化，具有出色的射频性能且易于组装。

商品特性

出色的热稳定性
共源极配置
在 945 MHz / 28 V 条件下,输出功率 POUT = 60 W,增益为 14.3 dB
新型射频塑料封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	65V
	连续漏极电流(Id)	7A
	耗散功率(Pd)	79W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	输入电容(Ciss)	83pF
	反向传输电容(Crss)	3pF
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	58pF