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SCTW40N120G2VAG
碳化硅功率MOSFET器件
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- 描述
- 汽车级碳化硅功率MOSFET，1200 V、33 A、75 mOhm（典型值，TJ = 25 C），HiP247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- SCTW40N120G2VAG
- 商品编号
- C472655
- 商品封装
- HiP-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.23nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ |
商品概述
这款碳化硅功率MOSFET器件采用sTs先进且创新的第二代SiC MOSFET技术开发。该器件具有每单位面积极低的导通电阻和非常好的开关性能。开关损耗的变化几乎与结温无关。
商品特性
- AEC-Q101认证
- 非常快速且稳健的本征体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 极高的工作结温能力（T_J=200℃）
应用领域
- 主逆变器（电力牵引）
- EV/HEV用DC/DC转换器
- 车载充电器（OBC）