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SCTW40N120G2VAG实物图
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SCTW40N120G2VAG

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描述
汽车级碳化硅功率MOSFET,1200 V、33 A、75 mOhm(典型值,TJ = 25 C),HiP247封装
商品型号
SCTW40N120G2VAG
商品编号
C472655
商品封装
HiP-247​
包装方式
管装
商品毛重
5.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)33A
耗散功率(Pd)290W
阈值电压(Vgs(th))5V
栅极电荷量(Qg)63nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.23nF
反向传输电容(Crss)15pF
工作温度-55℃~+200℃
输出电容(Coss)56pF
导通电阻(RDS(on))105mΩ

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