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STW65N65DM2AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:60A
- 描述
- 汽车级N沟道650 V、42 mOhm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW65N65DM2AG
- 商品编号
- C472649
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货10-14个工作日购买数量
(30个/管，最小起订量 49 个)个
起订量：49 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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