温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STW65N65DM2AG
1个N沟道 耐压:650V 电流:60A
- 描述
- 汽车级N沟道650 V、42 mOhm典型值、60 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW65N65DM2AG
- 商品编号
- C472649
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 446W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷Qrr和恢复时间trr，同时导通电阻RDS(on)较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合 AEC-Q101 标准
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100% 雪崩测试
- 极高的 dv/dt 鲁棒性
- 齐纳保护
应用领域
-开关应用
相似推荐
其他推荐