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STW8N120K5
1个N沟道 耐压:1200V 电流:6A
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- 描述
- N沟道1200 V、1.65 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，TO-247封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW8N120K5
- 商品编号
- C472643
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65Ω@10V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.7nC@960V | |
| 输入电容(Ciss) | 505pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FDD6680AS旨在取代同步DC:DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管。这款30V MOSFET旨在最大限度地提高功率转换效率，提供低漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。FDD6680AS采用仙童的单片SyncFET技术，集成了一个肖特基二极管。在同步整流器中，FDD6680AS作为低端开关的性能与FDD6680A与肖特基二极管并联的性能无异。
商品特性
- 55 A，30 V
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON)最大值 = 10.5 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON)最大值 = 13.0 mΩ
- 集成SyncFET肖特基体二极管
- 低栅极电荷（典型值21nC）
- 高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- DC/DC转换器
- 笔记本电脑低端电路
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