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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
商品概述
SuperMESH™系列是通过对意法半导体（ST）成熟的基于条形的PowerMESH™布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别注重确保其在最严苛应用中具备出色的dv/dt能力。该系列完善了意法半导体的高压MOSFET全产品线，其中包括具有革新性的MDmesh™产品。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用