温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V,37A | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
商品概述
采用独特的STripFET™工艺实现的这款功率MOSFET系列，专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此，它适合作为先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。
商品特性
- 出色的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用