STPSC20H065CW
碳化硅基650V高性能功率肖特基二极管,适用于PFC应用
- 描述
- 650 V、20 A双路高浪涌碳化硅功率肖特基二极管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STPSC20H065CW
- 商品编号
- C472612
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阴极 | |
| 整流电流 | 10A | |
| 正向压降(Vf) | 1.75V@10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流反向耐压(Vr) | 650V | |
| 反向电流(Ir) | 100uA@650V | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 90A | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ |
商品概述
SiC二极管是一种功率肖特基二极管,使用碳化硅衬底制造。宽带隙材料允许设计650V额定值的肖特基二极管结构。由于肖特基结构,关断时无恢复现象,振铃模式可忽略。最小电容关断行为与温度无关。该SiC二极管在硬开关条件下可提升性能。其高正向浪涌能力确保瞬态阶段的良好鲁棒性。封装环氧树脂符合UL94 V0标准;冷却方式为传导(C);推荐扭矩值:TO-220AB为0.4至0.6 N·m,TO-247为0.55 N·m(最大1.0 N·m)。
商品特性
- 无或可忽略的反向恢复
- 开关行为与温度无关
- 专用于PFC应用
- 高正向浪涌能力
应用领域
- PFC应用



