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STP24N60DM2
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- N沟道600 V、0.175 Ohm典型值、18 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP24N60DM2
- 商品编号
- C472620
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh II Plus低Qg功率MOSFET采用新一代MDmesh技术：MDmesh II Plus低Qg制造。这些创新型功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了全球最低的导通电阻和栅极电荷之一。因此，它们适用于要求最严苛的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS移相转换器的理想选择。
商品特性
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 与上一代产品相比，RDS(on)×面积更低
- 低栅极输入电阻
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
- 极高的dv/dt和雪崩能力
应用领域
- 开关应用