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STP110N10F7
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
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- 描述
- N沟道100 V、5.1 mOhm典型值、110 A STripFET F7功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP110N10F7
- 商品编号
- C472621
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.673克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 72nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.117nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些器件采用意法半导体（ST）专有的STripFET™技术的第七代设计规则，具备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均展现出极低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 超低导通电阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关应用