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STP43N60DM2
1个N沟道 耐压:650V 电流:34A
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- 描述
- N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP43N60DM2
- 商品编号
- C472619
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压N沟道功率MOSFET属于MDmesh™ DM2快速恢复二极管系列。它具有极低的反向恢复电荷Qrr和反向恢复时间 trr，同时导通电阻RDS(on) 较低，适用于要求严苛的高效转换器，也是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt抗扰度
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用