STGB15M65DF2
耐压:650V 电流:30A
- SMT扩展库
描述
沟槽栅场截止IGBT,M系列,650 V、15 A,低损耗
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STGB15M65DF2商品编号
C472578商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.616克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | IGBT管/模块 | |
IGBT类型 | FS(场截止) | |
集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
集电极电流(Ic) | 30A | |
功率(Pd) | 136W | |
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
输入电容(Cies@Vce) | - | |
导通损耗(Eon) | 0.09mJ | |
关断损耗(Eoff) | 0.45mJ | |
反向恢复时间(Trr) | 142ns | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
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