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STGB15M65DF2
采用先进沟槽栅场截止结构的IGBT，参数分布紧密，可安全并联，具有正温度系数和低热阻，内置软恢复快速二极管
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- 描述
- 沟槽栅场截止IGBT，M系列，650 V、15 A，低损耗
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGB15M65DF2
- 商品编号
- C472578
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.616克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 30A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 60A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 25uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.55V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 1.25nF | |
| 输出电容(Coes) | 80pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 25pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 24ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 93ns | |
| 导通损耗(Eon) | 90uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 450uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 142ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于M系列IGBT，在逆变器系统性能和效率之间达到平衡，其中低损耗和短路功能至关重要。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 短路耐受时间6μs
- VCE(sat)典型值1.55V（Ic=15A）
- 参数分布紧密
- 并联操作更安全
- 正的VCE(sat)温度系数
- 低热阻
- 反并联二极管具有软且极快的恢复特性
- 最大结温175℃
应用领域
- 电机控制
- UPS
- PFC
- 通用逆变器