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STGD6M65DF2
650V 12A
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- 描述
- 650 V、6 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGD6M65DF2
- 商品编号
- C472580
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 88W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 12A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 24A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@6A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.2nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 530pF | |
| 输出电容(Coes) | 31pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 11pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 15ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 90ns | |
| 导通损耗(Eon) | 36uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 200uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 140ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅场截止结构开发的IGBT，属于M系列IGBT，在低损耗和短路功能至关重要的场合，实现逆变器系统性能和效率的平衡。此外，正的VCE(sat)温度系数和紧密的参数分布使并联操作更安全。
商品特性
- 短路耐受时间6μs
- VCE(sat)典型值1.55V@IC=6A
- 参数分布紧密
- 并联更安全
- 低热阻
- 软且快速恢复的反并联二极管
应用领域
- 电机控制
- UPS
- PFC