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STH12N120K5-2
1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:12A
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- 描述
- N沟道1200 V、0.62 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH12N120K5-2
- 商品编号
- C472528
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 690mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.37nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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