STB35N60DM2
1个N沟道 耐压:600V 电流:28A
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描述
N沟道600 V、0.094 Ohm典型值、28 A MDmesh DM2功率MOSFET,D2PAK封装
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STB35N60DM2商品编号
C472576商品封装
D2PAK包装方式
编带
商品毛重
1.619克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
连续漏极电流(Id) | 28A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 110mΩ@10V,14A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
功率(Pd) | 210W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 54nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 2.4nF@100V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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