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STL140N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:140A
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- 描述
- N沟道60 V、0.0024 Ohm典型值、140 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL140N6F7
- 商品编号
- C472545
- 商品封装
- PDFN-8(5x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.11nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 193pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道功率MOSFET采用了STripFET F7技术，其沟槽栅极结构经过优化，可实现极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关操作。
商品特性
- 市场上极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数（FoM）
- 低Crss / Ciss比，具备抗电磁干扰（EMI）能力
- 高雪崩耐量
- 逻辑电平VGS(th)
应用领域
- 开关应用