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VNB20N07TR-E
VNB20N07TR-E
- 描述
- OMNIFET：全自动保护功率MOSFET
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VNB20N07TR-E
- 商品编号
- C472563
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.553克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 最大连续电流 | 14A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 55V | |
| 导通电阻 | 50mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
VNP20N07FI、VNB20N07和VNV20N07是采用意法半导体VlPower M0技术制造的单片器件，旨在用于直流至50 kHz应用中替代标准功率MOSFET。内置的热关断、线性电流限制和过压钳位功能可在恶劣环境下保护芯片。通过监测输入引脚的电压可以检测到故障反馈。
商品特性
- 过压钳位保护：内部设定为70V，结合功率MOSFET级坚固的雪崩特性，使该器件具有无与伦比的坚固性和能量处理能力。
- 线性电流限制电路：无论输入引脚电压如何，都能将漏极电流Id限制在Ilim。
- 过温和短路保护：基于感应芯片温度，不依赖于输入电压。过温关断在最低150℃时发生。当芯片温度降至135℃以下时，器件会自动重启。
- 状态反馈：在出现过温故障的情况下，通过输入引脚提供状态反馈。内部保护电路会将输入与栅极断开，并通过一个100 Ω的等效电阻将其连接到地。
- 符合人体模型的ESD保护。
- 能够由TTL逻辑电路驱动（RDS(on)会略有增加）。
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