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STH260N6F6-2
1个N沟道 耐压:60V 电流:180A
- 描述
- 该器件是采用第6代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的栅极结构。由此产生的功率MOSFET在所有封装中表现出最低的RDS(on)。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH260N6F6-2
- 商品编号
- C472565
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 183nC | |
| 输入电容(Ciss) | 11.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 488pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
该器件是一款采用第六代STripFET DeepGATE技术开发的N沟道功率MOSFET，具备全新的栅极结构。由此制成的功率MOSFET在所有封装中均呈现出最低的导通电阻RDS(on)。
商品特性
- 低栅极电荷
- 极低的导通电阻
- 高雪崩耐量
应用领域
- 开关应用