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STB45N60DM2AG
1个N沟道 电流:34A
- 描述
- 汽车级N沟道600 V、0.085 Ohm典型值、34 A MDmesh DM2功率MOSFET，D2PAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB45N60DM2AG
- 商品编号
- C472574
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@480V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmeshTM DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的反向恢复电荷(Qrr)和反向恢复时间(trr),同时导通电阻(RDS(on))较低,适用于要求极高的高效转换器,也是桥式拓扑和零电压开关(ZVS)移相转换器的理想选择。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合 AEC - Q101 标准
- 快速恢复体二极管
- 极低的栅极电荷和输入电容
- 低导通电阻
- 经过 100% 雪崩测试
- 具有极高的 dv/dt 鲁棒性
- 采用齐纳二极管保护
应用领域
- 开关应用