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STL220N6F7
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- N沟道60 V、0.0012 Ohm典型值、260 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STL220N6F7
- 商品编号
- C472533
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@30V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业内极低的导通电阻RDS(on)
- 出色的品质因数(FoM)
- 低Crss / Ciss比,抗电磁干扰(EMI)能力强
- 高雪崩耐用性
应用领域
- 开关应用