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STH6N95K5-2
1个N沟道 耐压:950V 电流:6A
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- 描述
- N沟道950 V、1 Ohm典型值、6 A MDmesh K5功率MOSFET，H2PAK-2封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STH6N95K5-2
- 商品编号
- C472544
- 商品封装
- H2PAK-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.811625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 950V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 450pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款超高电压N沟道功率MOSFET采用基于创新专有垂直结构的MDmesh™ K5技术设计。其成果是显著降低了导通电阻，并实现了超低栅极电荷，适用于需要卓越功率密度和高效率的应用。
商品特性
- 业界最低的导通电阻（RDS(on)）与面积乘积
- 业界最佳的品质因数（FoM）
- 超低栅极电荷
- 100%雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用