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STB40NF10LT4
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 采用独特的STripFET工艺实现的这款功率MOSFET系列产品，专门设计用于将输入电容和栅极电荷降至最低。因此，它适用于电信和计算机领域的先进高效隔离式DC-DC转换器，作为初级开关使用。它也适用于任何对栅极电荷驱动要求较低的应用
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB40NF10LT4
- 商品编号
- C472534
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.563克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@80V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.3nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
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