温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD86N3LH5
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 汽车级N沟道30 V、0.0045 Ohm典型值、80 A STripFET H5功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD86N3LH5
- 商品编号
- C472529
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.407克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 58pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 专为汽车应用设计,符合AEC-Q101标准
- 低导通电阻RDS(on)
- 高雪崩耐量
- 低栅极驱动功率损耗
应用领域
- 开关应用