温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STB55NF06T4
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得这些器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STB55NF06T4
- 商品编号
- C472532
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,27.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |