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VB5610N
N沟道+P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；SOT23-6；N+P—Channel沟道,±60V；±4A；RDS(ON)=80mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-1V；是一款DualN+P型MOSFET，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VB5610N
- 商品编号
- C42412660
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.2nC@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 适配器开关-高电流负载开关-笔记本电脑