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VBGQA1602
VBGQA1602
- 描述
- DFN8(5X6)；N—Channel沟道,60V；180A；RDS(ON)=2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；是一款单极性N型沟道场效应，采用SGT工艺制造，适用于电源模块、电动汽车驱动器、电池管理系统等领域。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBGQA1602
- 商品编号
- C42412676
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 结温 150 °C
- SGT 技术功率 MOSFET
- 符合 RoHS 标准
- N 沟道 MOSFET
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关