VBPB15R47S
VBPB15R47S
- 描述
- TO3P；N—Channel沟道,500V；47A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的功率MOSFET，适用于高功率电源模块、高频开关模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBPB15R47S
- 商品编号
- C42412681
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 低输入电容（Ciss）
- 降低开关和传导损耗
- 低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定（UIS）
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 计算机领域
- 个人计算机银色机箱/ATX电源