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VBM155R13
VBM155R13
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,550V；13A；RDS(ON)=430mΩ@VGS=10V,VGS=20/30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N结构的功率MOSFET，适用于工业电源模块、高频电源逆变器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM155R13
- 商品编号
- C42412689
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 优化设计
- 低面积比导通电阻
- 低输入电容(Ciss)
- 降低电容开关损耗
- 高体二极管耐用性
- 雪崩能量额定值(UIS)
- 最佳效率和运行性能
- 低成本
- 简单的栅极驱动电路
- 低品质因数(FOM):Ron × Qg
- 快速开关
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 消费电子
- 显示器(LCD或等离子电视)
- 服务器和电信电源
- 开关电源
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
- 功率因数校正(PFC)