- 引脚图
- 焊盘图
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VBM155R02
VBM155R02
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,550V；2A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=3~5V；是一款采用Plannar技术单N结构的功率MOSFET，适用于低功率开关模块、电源管理模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM155R02
- 商品编号
- C42412687
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 550V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 530W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 310nC | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,对驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
- 低RDS(ON)
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路