VBP165R64SFD
VBP165R64SFD
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- 描述
- TO247；N—Channel沟道,650V；64A；RDS(ON)=36mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~4.5V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N结构的高功率MOSFET，适用于高性能电源模块、汽车电力系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP165R64SFD
- 商品编号
- C42412694
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数(FOM) Ron × Qg
- 超快速体二极管
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷(Qg)
- 雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业应用