- 引脚图
- 焊盘图
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VBL16R15S
VBL16R15S
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,600V；15A；RDS(ON)=230mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于低功率应用场合。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL16R15S
- 商品编号
- C42412706
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.64nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低品质因数(FOM) R\text on x Q\text g
- 低输入电容 \left(Ciss\right)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 \left(Qg\right)
- 雪崩能量额定(UIS)
- 符合RoHS标准
- 无卤可选
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源(SMPS)-功率因数校正电源(PFC)-照明-高强度气体放电灯(HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)