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VBMB16R02
VBMB16R02
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,600V；2A；RDS(ON)=4400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET器件，适用于低功率电源模块、低功耗电子产品等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB16R02
- 商品编号
- C42412716
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 表面贴装(IRFRC20、SiHFRC20)
- 直引脚(IRFUC20、SiHFUC20)
- 快速开关
- 易于并联
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC