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VBE165R02S
VBE165R02S
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单N沟道MOSFET，适用于各种应用场景。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE165R02S
- 商品编号
- C42412735
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kV RMS(t = 60 s;f = 60 Hz)
- 漏极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅(Pb)版本
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业应用