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场效应管(MOSFET)
VBE165R02S
引脚图
此图展示了型号为 VBE165R02S 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 VBE165R02S 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
VBE165R02S
VBE165R02S
描述
TO252;N—Channel沟道,650V;2A;RDS(ON)=3800mΩ@VGS=10V,VGS=±30V;Vth=2~4V;是一款采用SJ_Multi-EPI技术的单N沟道MOSFET,适用于各种应用场景。
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBE165R02S
商品编号
C42412735
商品封装
TO-252
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)
数据手册
商品参数
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参数完善中
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