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VBL165R11S
VBL165R11S
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,650V；11A；RDS(ON)=420mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用SJ_Multi-EPI技术单N沟道场效应晶体管，适用于电源逆变器模块、汽车电子模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL165R11S
- 商品编号
- C42412726
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和导通损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域