- 引脚图
- 焊盘图
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VBMB16R04
VBMB16R04
- 描述
- TO220F；N—Channel沟道,600V；4A；RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型MOSFET，适用于低功率电源模块、汽车电子系统等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB16R04
- 商品编号
- C42412717
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 超低栅极电荷
- 降低栅极驱动要求
- 增强型30 V、VGS额定值
- 降低Ciss、Coss、Crss
- 极高频操作
- 重复雪崩额定
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)