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VBM165R01
VBM165R01
- 描述
- TO220；N—Channel沟道,650V；1.4A；RDS(ON)=8500mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET，适用于电源管理模块、工业自动化等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBM165R01
- 商品编号
- C42412737
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低栅极电荷Qg,驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征电容、雪崩电压和电流
- 符合RoHS标准
- 提供无卤版本
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 功率因数校正