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VBL165R02
VBL165R02
- 描述
- TO263；N—Channel沟道,650V；2A；RDS(ON)=3500mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N沟道MOSFET，适用于电源逆变器模块、电力传输模块等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL165R02
- 商品编号
- C42412738
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数（FOM）导通电阻（Ron）×栅极电荷（Qg）
- 超快速体二极管
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷（Qg）
- 雪崩能量额定值（UIS）
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源（SMPS）
- 功率因数校正电源（PFC）
- 照明
- 高强度气体放电灯（HID）
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域