- 引脚图
- 焊盘图
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VBE165R05
VBE165R05
- 描述
- TO252；N—Channel沟道,650V；5A；RDS(ON)=950mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术的单N场效应管，适用于各种电子领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBE165R05
- 商品编号
- C42412741
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 205W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 低栅极电荷 Qg,降低驱动要求
- 增强栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性
- 全面表征电容、雪崩电压和电流
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC