VBP165R11
VBP165R11
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- 描述
- TO247；N—Channel沟道,650V；11A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；是一款采用Plannar技术单N型功率MOSFET，适用于工业电力系统、电动汽车控制器等领域和模块。
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBP165R11
- 商品编号
- C42412750
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源
- 开关模式电源 (SMPS)
- 功率因数校正电源 (PFC)
- 照明
- 高强度气体放电灯 (HID)
- 荧光灯镇流器照明
- 工业领域